市場調查機構 CounterPoint Research 昨日（11 月 19 日）發布博文，示警全球內存市場正面臨嚴峻的價格上漲壓力。

援引博文報告預測，繼今年價格已飆升 50% 之后，動態隨機存取存儲器（DRAM）的價格在 2025 年第四季度可能再上漲 30%，并在 2026 年初進一步上漲 20%。綜合來看，到 2026 年第二季度，內存價格相較于當前水平，累計漲幅可能高達 50%。

當前的供應緊張主要源于舊款內存芯片的短缺。為滿足人工智能（AI）領域的龐大需求，三星、SK 海力士等主要制造商正將產能優先分配給更先進的芯片，這直接導致了舊款 LPDDR4 內存的供應緊張。

這種產能轉移已引發市場價格倒掛的異常現象：用于服務器和個人電腦的較新 DDR5 內存現貨價約為每吉比特（Gb）1.50 美元，而廣泛用于低端消費電子產品的舊款 LPDDR4 價格卻高達 2.10 美元，甚至超過了先進的 HBM3e 內存。

報告強調，一個更廣泛且長期的風險正在浮現，其核心驅動力是芯片巨頭英偉達（NVIDIA）的戰略轉型。傳統上，服務器為保證數據可靠性，普遍采用具備錯誤糾正碼（ECC）功能的 DDR 內存。

然而，英偉達為降低功耗，正轉向在服務器產品中大規模采用 LPDDR 內存，并計劃通過 CPU 層面處理錯誤糾正。研究總監 MS Hwang 指出，這一轉變使英偉達的需求規模堪比一家大型智能手機制造商，對現有供應鏈而言，這是一場難以迅速消化的“地震級”變革。

這一系列連鎖反應的最終影響將廣泛波及整個消費電子生態系統。高級分析師 Ivan Lam 表示，最初的沖擊主要影響采用 LPDDR4 的低端智能手機制造商，但“陣痛”很快會蔓延。

報告預測，中高端智能手機的物料清單（BoM）成本可能因此增加超過 25%，這將嚴重侵蝕制造商的利潤空間，或迫使企業上調產品售價，從而影響市場增長。在產能受限與價格飆升的雙重壓力下，整個行業將面臨艱難的權衡與抉擇。